BC847 : BC847B транзистор биполярный npn

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э_typ=290;fгр=100МГц;P=0.33Вт

0.25

UAH

в наличии нет

BC847 : BC847C транзистор биполярный npn

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э_typ=520;fгр=100МГц;P=0.33Вт

0.38

UAH

в наличии есть

BC857 : BC857C транзистор биполярный pnp

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э_typ=520;fгр=100МГц;P=0.33Вт

0.38

UAH

в наличии есть

BC547C транзистор биполярный npn

корпус TO-92 Uкб_макс=-0В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э_typ=800;fгр=300МГц;P=0.5Вт

0.62

UAH

в наличии есть

BC557C транзистор биполярный pnp

корпус TO-92 Uкб_макс=-50В;Uкэ_макс=-45В;Iк_макс=-0.1А;h21э_typ=500;fгр=320МГц;P=0.625Вт

0.62

UAH

в наличии есть

SS9015C транзистор биполярный pnp, аналог BC857С

корпус SOT-23; Uкб_макс=50В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э=200-1000; fгр=150МГц;P=0.2Вт

0.38

UAH

в наличии есть

BC817-40 транзистор биполярный npn 0.5A

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэомакс=45В;Iкмакс=0.5А;h21э_typ=250...600; fгр=100МГц;P=0.35Вт

0.65

UAH

в наличии нет

BC817-40 транзистор биполярный npn 0.3A

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэомакс=45В;Iкмакс=0.3А;h21э_typ=250...600; fгр=100МГц;P=0.35Вт

0.35

UAH

в наличии есть

BC807-40 транзистор биполярный pnp 0.5А

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэомакс=45В;Iк_макс=0.5А;h21э_typ=250...600; fгр=100МГц;P=0.35Вт

0.65

UAH

в наличии есть

BC807-40 транзистор биполярный pnp 0.3А

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэомакс=45В;Iк_макс=0.3А;h21э_typ=250...600; fгр=100МГц;P=0.35Вт

0.35

UAH

в наличии есть

MJE13001 транзистор биполярный npn, корпус SOT-23

корпус SOT-23

0.75

UAH

в наличии нет

MJE13001 транзистор биполярный npn, корпус TO-92

корпус TO-92

0.65

UAH

в наличии есть

MJE13009 транзистор биполярный npn, корпус TO-220

корпус TO-220

8.30

UAH

в наличии нет

MMBTA14 транзистор Дарлингтона

1.83

UAH

в наличии есть

транзистор 2N7002 n-канальный

корпус SOT-23

0.52

UAH

в наличии нет

транзистор 2N7002 n-канальный 300mA 60V

корпус SOT-23; маркировка 7002

0.55

UAH

в наличии есть

транзистор BSS84 p-канальный, комплементарный 2N7002

корпус SOT-23; транзистор p-канальный; Vds_max=-50V; Ids_max=-130mA;Rds(on) (Vgs =-10V)<6 Ohm;Pmax=250mW

0.55

UAH

в наличии есть

транзистор AON1605 p-канальный, логический уровень управления; корпус DFN1.0x0.6-3L

корпус DFN1.0x0.6-3L; транзистор p-канальный; Vds=-20V; Ids=-0.7A;Rds(on) (Vgs =-4.5V)<710mOhm; Vg_max=+-8V; логический уровень управления

11.00

UAH

в наличии есть

транзистор AON1606 n-канальный, логический уровень управления; корпус DFN1.0x0.6-3L

корпус DFN1.0x0.6-3L; транзистор n-канальный; Vds=20V; Ids=0.7A;Rds(on) (Vgs =4.5V)<275mOhm; Vg_max=+-8V; логический уровень управления

9.50

UAH

в наличии есть

транзистор AON1606 n-канальный, логический уровень управления; корпус DFN1.0x0.6-3L оригінальні

корпус DFN1.0x0.6-3L; транзистор n-канальный; Vds=20V; Ids=0.7A;Rds(on) (Vgs =4.5V)<275mOhm; Vg_max=+-8V; логический уровень управления

6.50

UAH

в наличии есть

транзистор AON1634 n-канальный, логический уровень управления; корпус DFN1.6x1.6 оригінальні

корпус DFN1.6x1.6; транзистор n-канальный; Vds=30V; Ids=4.0A;Rds(on) (Vgs =4.5V)<62mOhm; Vg_max=+-12V; логический уровень управления

9.50

UAH

в наличии есть

транзистор AO3404 A49T n-канальный, логический уровень управления

корпус SOT-23; транзистор n-канальный; Vds=30V; Ids=5.0A;Rds(on) (Vgs =10V)<31mOhm; Rds(on) (Vgs =4.5V)<43mOhm; Vg_max=+-20V; логический уровень управления

1.80

UAH

в наличии есть

транзистор AO3416 AE9T n-канальный, логический уровень управления

корпус SOT-23; транзистор n-канальный; Vds=20V; Ids=6.0A;Rds(on) (Vgs =8V)<22mOhm; Rds(on) (Vgs =1.5V)<40mOhm; Vg_max=+-8V; логический уровень управления

3.40

UAH

в наличии есть

транзистор AO3401 A19T p-канальный, логический уровень управления

корпус SOT-23; транзистор p-канальный; Vds=-30V; Ids=-4.0A;Rds(on) (Vgs =-10V)<50mOhm;Rds(on) (Vgs =-4.5V)<60mOhm;Rds(on) (Vgs =-2.5V)<85mOhm; Vg_max=+-12V; логический уровень управления

1.60

UAH

в наличии есть

сборка комплементарных транзисторов AO6602

сборка комплементарных транзисторов; корпус SOT23-6; характеристики транзистор p-канальный; Vds=-30V; Ids=-2.7A;Rds(on) (Vgs =-10V)<100mOhm;Rds(on) (Vgs =-4.5V)<170mOhm; Vg_max=+-20V; транзистор n-канальный; Vds=30V; Ids=3.5A;Rds(on) (Vgs =10V)<50mOhm; Rds(on) (Vgs =4.5V)<70mOhm; Vg_max=+-20V; логический уровень управления

9.20

UAH

в наличии есть

сборка комплементарных транзисторов AO4616

сборка комплементарных транзисторов; корпус SO8; характеристики транзистор p-канальный; Vds=-30V; Ids=-7.0A;Rds(on) (Vgs =-10V)<22mOhm;Rds(on) (Vgs =-4.5V)<40mOhm; Vg_max=+-20V; транзистор n-канальный; Vds=30V; Ids=8.0A;Rds(on) (Vgs =10V)<20mOhm; Rds(on) (Vgs =4.5V)<28mOhm; Vg_max=+-20V; логический уровень управления

9.20

UAH

в наличии есть

транзистор AON7428 n-канальный, логический уровень управления; корпус DFN8 3.3x3.3

7.50

UAH

в наличии есть

транзистор AON7428 n-канальный оригинальный, логический уровень управления; корпус DFN8 3.3x3.3

17.00

UAH

в наличии есть

транзистор AON7423 p-канальный, логический уровень управления; корпус DFN8 3.3x3.3

7.50

UAH

в наличии есть

транзистор AON7423 p-канальный оригинальный, логический уровень управления; корпус DFN8 3.3x3.3

17.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IRF640N n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220;параметры из pdf Vds_max=200V; Ids_max=18A (Tj=25C); Rds(on)<0.18Ohm (Vgs =10V,Id=11A); параметры измеренные (T=25С) Vds=250V; Rds(on) <0.36Ohm (Vgs =15V,Id=5A)

9.70

UAH

в наличии нет

Транзистор IRF830N n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220;параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_max=4.5A (Tj=25C); Rds(on)<1.5Ohm (Vgs =10V,Id=2.7A);параметры измеренные (T=25С) Vds=560V; Rds(on) <1.57Ohm (Vgs =15V,Id=2.0A) . Соответствуют заявленым параметрам.

10.70

UAH

в наличии есть

Транзистор IRF830N n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220;параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_max=4.5A (Tj=25C); Rds(on)<1.5Ohm (Vgs =10V,Id=2.7A);параметры измеренные (T=25С) Vds=720V; Rds(on) <11.0Ohm (Vgs =15V,Id=1.0A).

12.70

UAH

в наличии есть

Транзистор IRF3205 n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=55V; Ids_max=110A (Tj=25C); Rds(on)<0.008Ohm (Vgs =10V,Id=62A); параметры измеренные (T=25С) Vds=65V; Rds(on) <0.038Ohm (Vgs =15V,Id=10A).

18.50

UAH

в наличии есть

Транзистор IRF3205 n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=55V; Ids_max=110A (Tj=25C); Rds(on)<0.008Ohm (Vgs =10V,Id=62A); параметры измеренные (T=25С) Vds=65V; Rds(on) <0.0065Ohm (Vgs =15V,Id=10A). Соответствуют заявленным параметрам.

55.00

UAH

в наличии есть

Транзистор STP100NF04 n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=40V; Ids_max=120A (Tj=25C); Rds(on)<0.0046Ohm (Vgs =10V,Id=50A); параметры измеренные (T=25С) Vds=65V; Rds(on) <0.0029Ohm (Vgs =15V,Id=10A). Соответствуют заявленым параметрам.

51.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IRF4905 p-канальный

транзистор p-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=-55V; Ids=-74A; Rds(on) <0.02Ohm (Vgs =-10V,Id=-38A)

12.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IRF4905PBF p-канальный оригинальные

транзистор p-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=-55V; Ids=-74A; Rds(on) <0.02Ohm (Vgs =-10V,Id=-38A); параметры измеренные (T=25С) Vds=-70V; Rds(on) <0.012Ohm (Vgs =-15V,Id=-10A). Соответствуют заявленым параметрам.

69.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IRF1405PBF n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=55V; Ids=-133A; Rds(on) <0.004Ohm (Vgs =15V,Id=10A). Соответствуют заявленым параметрам.

81.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IRF9530

транзистор p-канальный; корпус TO220

7.50

UAH

в наличии нет

Транзистор STP15810 n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=100V; Ids=110A; Rds_on=3.6mOhm. Соответствуют заявленым параметрам.

75.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IRFB4115PBF n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=150V; Ids=104A; Rds_on=9.3mOhm. Соответствуют заявленым параметрам.

43.00

UAH

в наличии есть

Транзистор STP20NM50

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.26Ohm (Vgs =10V,Id=10A); параметры измеренные (T=25С) Vds_max=560V; Rds(on) <0.25Ohm (Vgs =15V,Id=10A)

45.00

UAH

в наличии нет

Транзистор STP20NM50 не оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.26Ohm (Vgs =10V,Id=10A); параметры измеренные (T=25С) Vds_max=560V; Rds(on) <0.8Ohm (Vgs =15V,Id=5A) Rds_on НЕ СООТВЕТСТВУЕТ PDF

28.00

UAH

в наличии есть

Транзистор STP20NM50FD

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.26Ohm (Vgs =10V,Id=10A); с быстродействующим диодом

14.00

UAH

в наличии нет

Транзистор STP20NM60

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=600V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.29Ohm (Vgs =10V,Id=10A); параметры измеренные (T=25С) Vds_max=720V; Rds(on) <0.165Ohm (Vgs =15V,Id=10A). Соответствуют заявленым параметрам.

49.00

UAH

в наличии нет

Транзистор TK20A60U n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220 изолированный; параметры из pdf Vds_max=600V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.165Ohm (Vgs =10V,Id=10A); параметры измеренные (T=25С) Vds_max=650V; Rds(on) <0.15Ohm (Vgs =15V,Id=5A). Соответствуют заявленым параметрам.

52.00

UAH

в наличии нет

Транзистор TK20A60U n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220 изолированный; параметры из pdf Vds_max=600V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.165Ohm (Vgs =10V,Id=10A)

72.00

UAH

в наличии есть

Транзистор STP6NK90ZFP

транзистор n-канальный; корпус изолированный TO220

11.30

UAH

в наличии нет

Транзистор STP9NK50ZFP

транзистор n-канальный; корпус изолированный TO220

11.30

UAH

в наличии нет

Транзистор STP14NK60ZFP

транзистор n-канальный; корпус изолированный TO220

14.00

UAH

в наличии нет

Транзистор STW18NK80Z

транзистор n-канальный; корпус TO247

75.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT G25T120BK аналог FGA25N120

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=1200V; Ic_dc_max=46A (Tj=25C); Vce_saturation<3.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=25A);

85.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IGBT SGW25N120 оригинальные БУ, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=1200V; Ic_dc_max=46A (Tj=25C); Vce_saturation<3.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=25A); параметры измеренные (T=25С); Vce_saturation<2.2V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=10A);. Соответствуют заявленым параметрам.

25.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT SGW25N120 оригинальные, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=1200V; Ic_dc_max=46A (Tj=25C); Vce_saturation<3.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=25A); параметры измеренные (T=25С); Vce_saturation<2.2V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=10A);. Соответствуют заявленым параметрам.

37.20

UAH

в наличии нет

Транзистор FGA25N120

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=1200V; Ic_dc_max=46A (Tj=25C); Vce_saturation<3.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=25A);

31.40

UAH

в наличии нет

Транзистор FGA25N120 оригінальні

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=1200V; Ic_dc_max=46A (Tj=25C); Vce_saturation<3.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=25A);

265.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IGBT G30N60 SGW30N60 диод C-E отсутствует

31.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT K30T60 G30T60 диод C-E присутствует, паяные выводы

31.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT FGH40N60 FGH40N60SFD, диод на К-Э присутствует, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.87V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=680V; Vce_saturation<2.3V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)

37.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT FGH40N60 FGH40N60SFD оригинальные, паяные выводы, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.87V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<1.8V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)

35.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT FGH40N60SFD идентичные оригинальным, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.87V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<1.8V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)

57.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT FGH40N60SFD оригинальные, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.87V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<1.8V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)

48.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT RJH60F5 RJH60F5DPQ, Vce_sat<2.3V, диод на К-Э присутствует, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.4V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=40A); Vce_saturation<1.7V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=80A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=850V; Vce_saturation<2.3V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)

68.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IGBT RJH60F5 RJH60F5DPQ, идентичные оригинальным, Vce_sat<1.45V больше на 150мв чем у оригинальных

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.25V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.7V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=80A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=760V; Vce_saturation<1.45V (Vg=15V; Ic=20A) соответствуют заявленным параметрам

68.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT RJH60F5 RJH60F5DPQ, Vce_sat<1.7V, диод на К-Э присутствует, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.4V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=40A); Vce_saturation<1.7V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=80A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=800V; Vce_saturation<1.7V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)

53.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT RJH60F5 RJH60F5DPQ оригинальные Vce_sat<1.3V, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.25V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.7V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=80A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=760V; Vce_saturation<1.3V (Vg=15V; Ic=20A) соответствуют заявленным параметрам

108.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IGBT RJH60F7 RJH60F7DPQ оригинальные Vce_sat<1.15V, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=90A (Tj=25C); Vce_saturation<1.2V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.6V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=90A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=780V; Vce_saturation<1.15V (Vg=15V; Ic=20A) соответствуют заявленным параметрам

137.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IGBT IKW75N60T K75T60 K75T60A Vce_sat<2.8V, отсутствует диод на C-E, паяные выводы, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.5V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=75A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<2.8V (Vg=15V; Ic=20A)

24.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT IKW75N60T K75T60 K75T60A Vce_sat<1.8V, диод на C-E присутствует, паяные выводы, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.5V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=75A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<2.8V (Vg=15V; Ic=20A)

24.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT IKW75N60T K75T60 K75T60A Vce_sat<1.1V, оригинальные, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.5V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=75A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<1.1V (Vg=15V; Ic=20A)

85.00

UAH

в наличии нет

Транзистор IGBT GT50JR22, диод C-E отсутствует, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=50A (Tj=25C); Vce_saturation<1.25V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.9V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=50A);

43.00

UAH

в наличии есть

Транзистор IGBT GT50JR22 оригинальные, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=50A (Tj=25C); Vce_saturation<1.25V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.9V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=50A);

46.50

UAH

в наличии есть

Транзистор BUH1015HI

транзистор npn; корпус TO247

27.20

UAH

в наличии нет