СКЭЛТЭК                                                    разработка и изготовление электронных устройств

купить                    показать весь склад



Транзисторы

Транзистор STP9NK50ZFP

транзистор n-канальный; корпус изолированный TO220





цена
11.30UAH





в наличии
нет

Транзисторы

BC847 : BC847B транзистор биполярный npn

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э_typ=290;fгр=100МГц;P=0.33Вт






0.25UAH






в наличии нет

BC847 : BC847C транзистор биполярный npn

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э_typ=520;fгр=100МГц;P=0.33Вт






0.38UAH






в наличии есть

BC857 : BC857C транзистор биполярный pnp

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э_typ=520;fгр=100МГц;P=0.33Вт






0.38UAH






в наличии есть

BC547C транзистор биполярный npn

корпус TO-92 Uкб_макс=-0В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э_typ=800;fгр=300МГц;P=0.5Вт






0.62UAH






в наличии есть

BC557C транзистор биполярный pnp

корпус TO-92 Uкб_макс=-50В;Uкэ_макс=-45В;Iк_макс=-0.1А;h21э_typ=500;fгр=320МГц;P=0.625Вт






0.62UAH






в наличии есть

SS9015C транзистор биполярный pnp, аналог BC857С

корпус SOT-23; Uкб_макс=50В;Uкэ_макс=45В;Iк_макс=0.1А;h21э=200-1000; fгр=150МГц;P=0.2Вт






0.38UAH






в наличии есть

BC817-40 транзистор биполярный npn 0.5A

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэомакс=45В;Iкмакс=0.5А;h21э_typ=250...600; fгр=100МГц;P=0.35Вт






0.65UAH






в наличии нет

BC817-40 транзистор биполярный npn 0.3A

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэомакс=45В;Iкмакс=0.3А;h21э_typ=250...600; fгр=100МГц;P=0.35Вт






0.35UAH






в наличии есть

BC807-40 транзистор биполярный pnp 0.5А

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэомакс=45В;Iк_макс=0.5А;h21э_typ=250...600; fгр=100МГц;P=0.35Вт






0.65UAH






в наличии есть

BC807-40 транзистор биполярный pnp 0.3А

корпус SOT-23 Uкб_макс=50В;Uкэомакс=45В;Iк_макс=0.3А;h21э_typ=250...600; fгр=100МГц;P=0.35Вт






0.35UAH






в наличии есть

MJE13001 транзистор биполярный npn, корпус SOT-23

корпус SOT-23






0.75UAH






в наличии нет

MJE13001 транзистор биполярный npn, корпус TO-92

корпус TO-92






0.65UAH






в наличии есть

MJE13009 транзистор биполярный npn, корпус TO-220

корпус TO-220






8.30UAH






в наличии нет

MMBTA14 транзистор Дарлингтона






1.83UAH






в наличии есть

транзистор 2N7002 n-канальный

корпус SOT-23






0.52UAH






в наличии нет

транзистор 2N7002 n-канальный 300mA 60V

корпус SOT-23; маркировка 7002






0.55UAH






в наличии есть

транзистор BSS84 p-канальный, комплементарный 2N7002

корпус SOT-23; транзистор p-канальный; Vds_max=-50V; Ids_max=-130mA;Rds(on) (Vgs =-10V)<6 Ohm;Pmax=250mW






0.55UAH






в наличии есть

транзистор AO3404 A49T n-канальный, логический уровень управления

корпус SOT-23; транзистор n-канальный; Vds=30V; Ids=5.0A;Rds(on) (Vgs =10V)<31mOhm; Rds(on) (Vgs =4.5V)<43mOhm; Vg_max=+-20V; логический уровень управления






1.80UAH






в наличии есть

транзистор AO3416 AE9T n-канальный, логический уровень управления

корпус SOT-23; транзистор n-канальный; Vds=20V; Ids=6.0A;Rds(on) (Vgs =8V)<22mOhm; Rds(on) (Vgs =1.5V)<40mOhm; Vg_max=+-8V; логический уровень управления






3.40UAH






в наличии есть

транзистор AO3401 A19T p-канальный, логический уровень управления

корпус SOT-23; транзистор p-канальный; Vds=-30V; Ids=-4.0A;Rds(on) (Vgs =-10V)<50mOhm;Rds(on) (Vgs =-4.5V)<60mOhm;Rds(on) (Vgs =-2.5V)<85mOhm; Vg_max=+-12V; логический уровень управления






1.60UAH






в наличии есть

сборка комплементарных транзисторов AO4616

сборка комплементарных транзисторов; корпус SO8; характеристики транзистор p-канальный; Vds=-30V; Ids=-7.0A;Rds(on) (Vgs =-10V)<22mOhm;Rds(on) (Vgs =-4.5V)<40mOhm; Vg_max=+-20V; транзистор n-канальный; Vds=30V; Ids=8.0A;Rds(on) (Vgs =10V)<20mOhm; Rds(on) (Vgs =4.5V)<28mOhm; Vg_max=+-20V; логический уровень управления






9.20UAH






в наличии есть

транзистор AON7428 n-канальный, логический уровень управления; корпус DFN8 3.3x3.3






7.50UAH






в наличии есть

транзистор AON7428 n-канальный оригинальный, логический уровень управления; корпус DFN8 3.3x3.3






17.00UAH






в наличии есть

транзистор AON7423 p-канальный, логический уровень управления; корпус DFN8 3.3x3.3






7.50UAH






в наличии есть

транзистор AON7423 p-канальный оригинальный, логический уровень управления; корпус DFN8 3.3x3.3






17.00UAH






в наличии есть

Транзистор IRF640N n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220;параметры из pdf Vds_max=200V; Ids_max=18A (Tj=25C); Rds(on)<0.18Ohm (Vgs =10V,Id=11A); параметры измеренные (T=25С) Vds=250V; Rds(on) <0.36Ohm (Vgs =15V,Id=5A)






9.70UAH






в наличии нет

Транзистор IRF830N n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220;параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_max=4.5A (Tj=25C); Rds(on)<1.5Ohm (Vgs =10V,Id=2.7A);параметры измеренные (T=25С) Vds=560V; Rds(on) <1.57Ohm (Vgs =15V,Id=2.0A) . Соответствуют заявленым параметрам.






10.70UAH






в наличии есть

Транзистор IRF830N n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220;параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_max=4.5A (Tj=25C); Rds(on)<1.5Ohm (Vgs =10V,Id=2.7A);параметры измеренные (T=25С) Vds=720V; Rds(on) <11.0Ohm (Vgs =15V,Id=1.0A).






12.70UAH






в наличии есть

Транзистор IRF3205 n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=55V; Ids_max=110A (Tj=25C); Rds(on)<0.008Ohm (Vgs =10V,Id=62A); параметры измеренные (T=25С) Vds=65V; Rds(on) <0.038Ohm (Vgs =15V,Id=10A).






18.50UAH






в наличии есть

Транзистор IRF3205 n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=55V; Ids_max=110A (Tj=25C); Rds(on)<0.008Ohm (Vgs =10V,Id=62A); параметры измеренные (T=25С) Vds=65V; Rds(on) <0.0065Ohm (Vgs =15V,Id=10A). Соответствуют заявленным параметрам.






55.00UAH






в наличии есть

Транзистор STP100NF04 n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=40V; Ids_max=120A (Tj=25C); Rds(on)<0.0046Ohm (Vgs =10V,Id=50A); параметры измеренные (T=25С) Vds=65V; Rds(on) <0.0029Ohm (Vgs =15V,Id=10A). Соответствуют заявленым параметрам.






51.00UAH






в наличии нет

Транзистор IRF4905 p-канальный

транзистор p-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=-55V; Ids=-74A; Rds(on) <0.02Ohm (Vgs =-10V,Id=-38A)






12.00UAH






в наличии есть

Транзистор IRF4905PBF p-канальный оригинальные

транзистор p-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=-55V; Ids=-74A; Rds(on) <0.02Ohm (Vgs =-10V,Id=-38A); параметры измеренные (T=25С) Vds=-70V; Rds(on) <0.012Ohm (Vgs =-15V,Id=-10A). Соответствуют заявленым параметрам.






69.00UAH






в наличии есть

Транзистор IRF1405PBF n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=55V; Ids=-133A; Rds(on) <0.004Ohm (Vgs =15V,Id=10A). Соответствуют заявленым параметрам.






81.00UAH






в наличии есть

Транзистор IRF9530

транзистор p-канальный; корпус TO220






7.50UAH






в наличии нет

Транзистор STP15810 n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds=100V; Ids=-110A Соответствуют заявленым параметрам.






75.00UAH






в наличии нет

Транзистор STP20NM50

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.26Ohm (Vgs =10V,Id=10A); параметры измеренные (T=25С) Vds_max=560V; Rds(on) <0.25Ohm (Vgs =15V,Id=10A)






45.00UAH






в наличии нет

Транзистор STP20NM50 не оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.26Ohm (Vgs =10V,Id=10A); параметры измеренные (T=25С) Vds_max=560V; Rds(on) <0.8Ohm (Vgs =15V,Id=5A) Rds_on НЕ СООТВЕТСТВУЕТ PDF






28.00UAH






в наличии есть

Транзистор STP20NM50FD

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=500V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.26Ohm (Vgs =10V,Id=10A); с быстродействующим диодом






14.00UAH






в наличии нет

Транзистор STP20NM60

транзистор n-канальный; корпус TO220; параметры из pdf Vds_max=600V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.29Ohm (Vgs =10V,Id=10A); параметры измеренные (T=25С) Vds_max=720V; Rds(on) <0.165Ohm (Vgs =15V,Id=10A). Соответствуют заявленым параметрам.






49.00UAH






в наличии нет

Транзистор TK20A60U n-канальный

транзистор n-канальный; корпус TO220 изолированный; параметры из pdf Vds_max=600V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.165Ohm (Vgs =10V,Id=10A); параметры измеренные (T=25С) Vds_max=650V; Rds(on) <0.15Ohm (Vgs =15V,Id=5A). Соответствуют заявленым параметрам.






52.00UAH






в наличии нет

Транзистор TK20A60U n-канальный оригинальные

транзистор n-канальный; корпус TO220 изолированный; параметры из pdf Vds_max=600V; Ids_dc_max=20A(Tj=25C); Rds(on)<0.165Ohm (Vgs =10V,Id=10A)






58.00UAH






в наличии есть

Транзистор STP6NK90ZFP

транзистор n-канальный; корпус изолированный TO220






11.30UAH






в наличии нет

Транзистор STP9NK50ZFP

транзистор n-канальный; корпус изолированный TO220






11.30UAH






в наличии нет

Транзистор STP14NK60ZFP

транзистор n-канальный; корпус изолированный TO220






14.00UAH






в наличии нет

Транзистор STW18NK80Z

транзистор n-канальный; корпус TO247






75.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT SGW25N120 оригинальные БУ, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=1200V; Ic_dc_max=46A (Tj=25C); Vce_saturation<3.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=25A); параметры измеренные (T=25С); Vce_saturation<2.2V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=10A);. Соответствуют заявленым параметрам.






25.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT SGW25N120 оригинальные, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=1200V; Ic_dc_max=46A (Tj=25C); Vce_saturation<3.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=25A); параметры измеренные (T=25С); Vce_saturation<2.2V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=10A);. Соответствуют заявленым параметрам.






37.20UAH






в наличии нет

Транзистор FGA25N120

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=1200V; Ic_dc_max=46A (Tj=25C); Vce_saturation<3.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=25A);






31.40UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT G30N60 SGW30N60 диод C-E отсутствует






31.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT K30T60 G30T60 диод C-E присутствует, паяные выводы






31.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT FGH40N60 FGH40N60SFD, диод на К-Э присутствует, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.87V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=680V; Vce_saturation<2.3V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)






37.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT FGH40N60 FGH40N60SFD оригинальные, паяные выводы, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.87V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<1.8V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)






35.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT FGH40N60SFD идентичные оригинальным, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.87V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<1.8V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)






57.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT FGH40N60SFD оригинальные, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.87V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<1.8V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)






48.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT RJH60F5 RJH60F5DPQ, Vce_sat<2.3V, диод на К-Э присутствует, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.4V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=40A); Vce_saturation<1.7V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=80A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=850V; Vce_saturation<2.3V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)






68.00UAH






в наличии есть

Транзистор IGBT RJH60F5 RJH60F5DPQ, идентичные оригинальным, Vce_sat<1.45V больше на 150мв чем у оригинальных

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.25V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.7V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=80A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=760V; Vce_saturation<1.45V (Vg=15V; Ic=20A) соответствуют заявленным параметрам






68.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT RJH60F5 RJH60F5DPQ, Vce_sat<1.7V, диод на К-Э присутствует, проходят входной контроль

транзистор IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.4V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=40A); Vce_saturation<1.7V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=80A); параметры измеренные (T=25С); Vce_max=800V; Vce_saturation<1.7V (Tj =25C, Vg=15V; Ic=20A)






53.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT RJH60F5 RJH60F5DPQ оригинальные Vce_sat<1.3V, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.25V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.7V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=80A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=760V; Vce_saturation<1.3V (Vg=15V; Ic=20A) соответствуют заявленным параметрам






108.00UAH






в наличии есть

Транзистор IGBT RJH60F7 RJH60F7DPQ оригинальные Vce_sat<1.15V, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=90A (Tj=25C); Vce_saturation<1.2V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.6V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=90A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=780V; Vce_saturation<1.15V (Vg=15V; Ic=20A) соответствуют заявленным параметрам






137.00UAH






в наличии есть

Транзистор IGBT IKW75N60T K75T60 K75T60A Vce_sat<2.8V, отсутствует диод на C-E, паяные выводы, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.5V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=75A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<2.8V (Vg=15V; Ic=20A)






24.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT IKW75N60T K75T60 K75T60A Vce_sat<1.8V, диод на C-E присутствует, паяные выводы, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.5V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=75A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<2.8V (Vg=15V; Ic=20A)






24.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT IKW75N60T K75T60 K75T60A Vce_sat<1.1V, оригинальные, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=80A (Tj=25C); Vce_saturation<1.1V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.5V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=75A);параметры измеренные (T=25С); Vce_max=700V; Vce_saturation<1.1V (Vg=15V; Ic=20A)






85.00UAH






в наличии нет

Транзистор IGBT GT50JR22, диод C-E отсутствует, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=50A (Tj=25C); Vce_saturation<1.25V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.9V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=50A);






43.00UAH






в наличии есть

Транзистор IGBT GT50JR22 оригинальные, проходят входной контроль

транзисторы IGBT ; корпус TO247; параметры из pdf Vce_max=600V; Ic_dc_max=50A (Tj=25C); Vce_saturation<1.25V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=20A); Vce_saturation<1.9V (Tj =25C,Vge=15V; Ic=50A);






42.00UAH






в наличии есть

Транзистор BUH1015HI

транзистор npn; корпус TO247






27.20UAH






в наличии нет

цена Цена



Контакты

Транзистор STP9NK50ZFP Купить 9NK50 STP9NK50 сигнал цена Украина Киев Донецк Днепропетровск Харьков Луганск Запорожье Киев Днепр Днепропетровск Кировоград Сумы Харьков Чернигов Винница Одесса Николаев Ровно Львов Тернополь Ивано-Франковск Черновцы Житомир Черкассы Херсон Полтава

Фиксированное меню